AM29F040B-90PI  Bluetooth SIG 会员 社区致力于提供创新产品，以提高Bluetooth® 技术的功能，并帮助形成新的市场趋势。从无线音频和可穿戴设备到资产跟踪和电子货架标签解决方案，Bluetooth SIG 会员 公司不断满足消费者、商业和工业应用的需求。

AM29F040B-90PI  2024 年Bluetooth® 市场更新》概述了对低功耗音频 、Auracast™ 部署以及从Bluetooth Classic Audio 向低功耗音频 过渡的最新预测。报告还重点介绍了电子货架标签 (ESL) 和环境物联网等新的大容量市场的发展情况。我们很高兴看到这些市场继续发展。

2024Bluetooth® 市场更新》中的预测反映了众多Bluetooth SIG 成员的不懈努力，他们正在开发创新产品，创造一个更加互联的世界。

AM29F040B-90PI   详细参数

参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1984725091
零件包装代码 DIP
包装说明 PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
针数 32
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 9.19
YTEOL 0
最长访问时间 90 ns
命令用户界面 YES
数据轮询 YES
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0
长度 42.037 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 8
湿度敏感等级 3
功能数量 1
部门数/规模 8
端子数量 32
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP

封装等效代码 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260
编程电压 5 V
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 5.715 mm
部门规模 64K
最大待机电流 0.000005 A
最大压摆率 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
切换位 YES
类型 NOR TYPE
宽度15.24 mm

AM29F040B-90PI  计划于2026年量产第10代NAND，并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻，从而使存储器的存储单元间的存储通孔（memory hole）以更快的速度形成。

而这种效率的提升不仅可以减少生产时间，还能大幅提高单位时间的生产量。相比传统的电浆蚀刻法，低温蚀刻的加工速度提升了约4倍，标志着存储技术的一次重要革新。

2023年6月，Tokyo Electron成功开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术。该设备可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。TEL当时表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，产生了具有极高蚀刻速率的系统。这项创新技术可在短短33分钟内实现10μm深的高纵横比(晶圆上形成的图案的深度与宽度之比)蚀刻。

AM29F040B-90PI 目前，市场传出存储厂商都将采用低温蚀刻设备。其中，三星电子正在通过进口该设备的演示版本来评估相同的技术，而这些测试的结果将决定半导体制造中低温蚀刻技术的未来采用和潜在的标准化。