88E1111-B2-BAB1I000背照技术的优势
传统的CMOS图像传感器采用的是正照技术（Frontside Illumination, FSI），即光线从传感器的前表面进入。然而，这种设计存在一些固有的局限性。例如，光线在进入传感器之前需要穿过金属线和其他层，这会导致光线的散射和吸收，从而影响图像质量。背照技术则解决了这些问题。在BSI结构中，光线从传感器的背面进入，这样可以避免光线穿过金属层，从而大大提高了光的利用效率和图像质量。
BSI技术的另一个重要优势是提高了传感器的感光度。由于光线可以更直接地到达光敏区域，BSI传感器在低光环境下的性能得到了显著提升。这对于许多应用场景，如夜间拍摄、医疗成像和安防监控等，都具有重要意义。
88E1111-B2-BAB1I000 X-FAB的技术创新
X-FAB在其CMOS传感器工艺平台中引入BSI技术，是其技术创新的又一重要里程碑。X-FAB拥有丰富的CMOS工艺经验和深厚的技术积累，通过引入BSI技术，进一步提升了其CIS工艺平台的性能和竞争力。
为了实现这一目标，X-FAB进行了大量的研发工作，优化了工艺流程和材料选择，确保BSI技术能够在其现有的CMOS工艺平台上顺利实施。此外，X-FAB还开发了专门的测试和验证方法，以确保BSI传感器的高质量和高可靠性。
88E1111-B2-BAB1I000
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1814872857
零件包装代码 BGA
包装说明 ROHS COMPLIANT, TFBGA-117
针数 117
Reach Compliance Code not_compliant
HTS代码 8542.39.00.01
风险等级 6.88
YTEOL 9
JESD-30 代码 R-PBGA-B117
长度 14 mm
功能数量 1
端子数量 117
收发器数量 1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
座面最大高度 1.54 mm
标称供电电压 1 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
电信集成电路类型 ETHERNET TRANSCEIVER
端子形式 BALL
端子节距 1 mm
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 10 mm
毅创腾新到现货：
MAX999EUK+T
MAX811TEUS+T
MAX13487EESA+T
MAX4372TEUK+T
DS2480B+T&R
DS3234SN#T&R
MAX823SEUK+T
MAX13085EESA+T
DS2438Z+T&R
DS3232SN#T&R
MAX3088ESA+T
MAX706RESA+T
MAX706TESA+T
DS3231SN#T&R
MAX4644EUT+T
DS24B33S+T&R
MAX4372FEUK+T
MAX3087EESA+T
MAX13253ATB+T
AM26LV32EIPWR
CC2640R2FRSMR
CSD85301Q2
DAC7551IDRNR
DRV5032FBDBZR
DRV8701ERGER
ISO3088DWR
LM22671MRX-ADJ/NOPB
LM2592HVSX-ADJ/NOPB
LM2597MX-5.0/NOPB
LM2664M6X/NOPB
LM2672MX-5.0/NOPB
LM2907MX-8/NOPB
LM2941LDX/NOPB
LM324MTX/NOPB
LM4862MX/NOPB
LM5165XDRCR
LM7301IMX/NOPB
LMC6482IMMX/NOPB
LMC662AIMX/NOPB
LMC7211AIM5X/NOPB
LMR16030PDDAR
LP2985AIM5X-5.0/NOPB
LP38690DTX-3.3/NOPB
OPA197IDBVR
OPA197IDR
OPA991IDBVR
REF3450TIDBVR
SN65HVD3082EDGKR
SN74AVC4T245RSVR
SN74LVC1T45DCKR
TLV2314IDGKR
TLV274QPWRG4Q1
TLV7031QDBVRQ1
TLV7034RTER
TLV9001SIDCKR
TPS22918DBVR
TPS3813K33DBVR
TS5A12301EYFPR
88E1111-B2-BAB1I000 挑战与未来发展
尽管BSI技术具有众多优势，但其引入和实施也面临一些挑战。例如，BSI工艺的制造成本相对较高，需要额外的设备和材料。此外，BSI技术的良率控制和质量保证也需要特别关注，以确保量产过程中不会出现大规模的质量问题。
88E1111-B2-BAB1I000 然而，随着技术的不断进步和市场需求的推动，BSI技术的成本有望逐步下降。同时，通过不断优化工艺流程和提升制造水平，BSI传感器的良率和质量也将得到进一步提高。
展望未来，X-FAB将继续致力于技术创新和工艺优化，不断提升其CIS工艺平台的性能和竞争力。通过引入BSI技术，X-FAB不仅为客户提供了更高质量的FST3257QSCX传感器解决方案，也为自身在全球半导体市场中的领先地位奠定了坚实基础。
