AD8629ARZ 精密放大器 虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，专门针对 DRAM 产品量身定制。
AD8629ARZ 之家注意到，三星电子内存产品和技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 产品时表示：“凭借我们的 12nm 级 32Gb DRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达 1TB (TB) 的 DRAM 模块，使我们能够理想地满足人工智能 (AI) 和大数据时代对高容量 DRAM 的日益增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案，突破内存技术的极限。”
AD8629ARZ 之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要硅通孔 (TSV) 工艺。然而，新的 32Gb DRAM 允许在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，三星表示这将使功耗降低约 10%。对于目前正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。
三星最新的 DDR5 技术允许在单通道配置下以 DDR5-8000 速度创建 32 GB 和 48 GB DIMM，还支持双通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。
AD8629ARZ 规格
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 精密放大器
RoHS: 详细信息
通道数量: 2 Channel
GBP-增益带宽产品: 2.5 MHz
SR - 转换速率 : 1 V/us
Vos - 输入偏置电压 : 1 uV
Ib - 输入偏流: 100 pA
电源电压-最大: 5 V, 2.5 V
电源电压-最小: 2.7 V, 1.35 V
工作电源电流: 1 mA
每个通道的输出电流: 30 mA
CMRR - 共模抑制比: 140 dB
en - 输入电压噪声密度: 22 nV/sqrt Hz
封装 / 箱体: SOIC-8
安装风格: SMD/SMT
关闭: No Shutdown
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: AD8629
封装: Tube
商标: Analog Devices
双重电源电压: 1.35 V to 2.5 V
高度: 1.5 mm
输入电压范围—最大: 5 V
长度: 5 mm
最大双重电源电压: 2.5 V
最小双重电源电压: 1.35 V
工作电源电压: 2.7 V to 5 V
产品: Precision Amplifiers
产品类型: Precision Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 130 dB
98
子类别: Amplifier ICs
类型: Chopper Stabilization
电压增益 dB: 145 dB
宽度: 4 mm
单位重量: 540 mg
AD8629ARZ 除此之外，台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片，这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。
报道指出，三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力，并在功耗、性能和逻辑区域方面进行了改进。
然而，这并没有为三星吸引更多客户。一份报告指出，要重新赢得像高通等先前的客户认可，三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。
本月初，韩国媒体报道称，三星电子已经通知客户和合作伙伴，自今年年初起，将第二代3纳米工艺改名为2纳米工艺。
一位业内人士表示：“我们收到了三星电子的通知，他们正在将第二代3纳米工艺更名为2纳米工艺。去年签订的第二代3纳米合同也同步转为了2纳米，因此我们近期需要重新签订合同。”
以下是现货库存，有需求请出TP
ADI LT3755EUD#TRPBF 5K
ADI LTC3588EDD-1#TRPBF 10K
ADI LT8330ES6#TRPBF 30K
ALTERA 5M570ZF256I5N 11668pcs
ALTERA 5M1270ZF256C5N 9684pcs
ALTERA EP3C25F324I7N 672pcs
ALTERA 5M1270ZF256I5N 2415pcs
RENESAS R7FA4M3AD3CFB#AA0 7140PCS
AD8629ARZ 近年来，端侧（Ena-to-Ena）人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升 UFS 接口速度。
三星正在研发一款新产品，这款产品使用 UFS 4.0 技术，但将通道数量从目前的 2 路提升到 4 路同时，预计 2025 年量产，顺序读取速度达到 8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。
