IPW60R060C7 近年来，以石墨烯为代表的二维材料，已经成为了物理学和材料技术领域的重要发现之一。可知其具有较其它已知材料更坚固、光滑、轻量，且在导热与导电性能上也更加优异。
基于此，DTU 研究人员设想，若能够在这些材料身上实现可编程性，便可在 2D 层面上创造精致的“图案”，进而迎合不同的应用需求、显著改变相关材料的特性。
十多年来，DTU 科学家们一直在 1500 平方米的洁净室设施中使用先进光刻机，致力于改进二维材料图案化的新技术。
在丹麦国家研究基金会与 Graphene Flagship 的部分支持下，DTU 在纳米结构石墨烯中心开展了长期深入的研究。
新消息是，DTU Nanolab 的电子束光刻系统，已经能够实现 10nm 的工艺精度。计算机能够准确预测石墨烯中图案的形状和大小，以创造新型电子产品。
IPW60R060C7 它们可以利用电子的电荷和量子特性 —— 比如自旋和谷自由度 —— 以通过低得多的功耗来开展高速计算。
然而这些计算要求的分辨率，较现有强的光刻系统所能实现的分辨率更高一级 —— 即原子级的解析力。
纳米结构可改变 2D 材料的电子与光子特性
DTU 物理学教授兼组长 Peter B?ggild 表示：“若我们想要开辟量子电子学的未来，必须要实现 10nm 以下工艺、并尽可能地接近原子尺度”
IPW60R060C7 详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IPW60R060C7
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8151580251
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 7.54
YTEOL 6.18
雪崩能效等级（Eas） 159 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 35 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 135 A
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
IPW60R060C7 她表示，这项技术的巧妙之处，在于将六边形的氮化硼纳米材料放在你想要“图案化”的材料上，然后使用特定的蚀刻配方进行钻孔。
过去几年，我们开发的蚀刻工艺已将图案尺寸缩小到了电子束光刻系统无法突破的大约 10 nm 极限之下。
以制作一个直径为 20 nm 的圆孔为例，石墨烯中的孔隙可缩到 10 nm。若挖个三角形孔，新技术可将可缩出一个具有自锐角较小三角形。
通常情况下，当我们将图案缩小时，它会变得不那么完美。不过得益于重构的新理论，我们可预测出较好的结构。
举个例子，我们可以生产平面形的电子元透镜。作为一种超紧凑的光学透镜，其可在极高的频率下展开电气控制，且有望成为未来通信与生物技术的一个重要组成部分。
IPW60R060C7 新技术让我们距离量子材料更近了一步
作为新研究的另一位关键人物，对纳米物理拥有浓厚兴趣的年轻学生 Dorte Danielsen 解释称：“超分辨率”结构的背后机理，目前仍不是很清楚。
对于这种意想不到的蚀刻行为，我们有几种可能的解释，但仍有很多不太明确的地方。即便如此，这对我们来说仍然是一项激动人心且非常实用的技术。
与此同时，对于全球数以千计的研究人员来说，这也是一个好消息，因为他们正在推动二维纳米电子学与纳米光子学的发展。
